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国际半导体设备公司排名



作者:e胜博官网    发布时间:2020-11-14 02:47


  全球和国内半导体设备厂最新排名!日本厂商独领风骚,中国大陆厂商厚积薄发。

  美国的应用材料公司从2007年开始就一直占据首位,除2011年被全球最大的半导体光刻设备厂商ASML夺取外,该公司一直保持着领导地位。应用材料公司是材料工程解决方案的领导者,该解决方案用于生产世界上几乎所有新芯片和先进显示器。2019年应用材料的销售额达134亿美元,下滑3.9%。

  ASML已经逐渐逼近应用材料的市场规模,据ASML财报数据,2019年ASML净销售额为118亿欧元,净收入为26亿欧元。据Statista研究部报道指出,截至2019年,ASML的大部分销售收入来自亚洲,为95亿欧元,而该公司在美国和欧洲、中东和非洲的销售收入分别为20亿欧元和3亿欧元。自2014年至2019年,ASML的总净收入每年都在增长,2014年,这家荷兰跨国公司实现了约59亿欧元的净营收,到2019年,这一数字翻了一番,ASML创造了约118亿欧元的收入。

  对于ASML而言,2019年是另一次增长之年,主要是由于对DUV和EUV的逻辑需求强劲,其EUV的订单量为62亿欧元,并见证了EUV在大批量生产中的采用。

  东京电子的2019年排名与2018年一致,依旧是第三,2019年销售额为95.5亿美元,同比下滑12.5%。东电的产品几乎覆盖了半导体制造流程中的所有工序,主要产品包括:涂胶/显影设备、热处理成膜设备、干法刻蚀设备、沉积设备、清洗设备,封测设备。其中涂胶/显影设备在全球占有率达到87%,在FPD制造设备中,刻蚀机占有率达到七成。

  2019年LAM的销售额与排名第三的东京电子接近,都在95美元左右,下滑12.2%。对于半导体公司来说,排名第四的LAM research是硅技术路线图的根本推动者,该公司专注于蚀刻,沉积和清洁市场。在过去的几年中,得益于3D NAND不断增加的层数,以及代工厂/逻辑向10/7纳米工艺节点的过渡,这需要更多的多个构图步骤,这些与垂直缩放相关的技术严重依赖于先进的蚀刻和沉积工具,Lam Research在蚀刻和沉积领域的份额不断增长。据悉,Lam有80%的收入和内存芯片有关(固态闪存和DRAM),LAM 的旗舰Kiyo,Vector和Saber产品主要出售给三星电子和台积电等主要客户。

  排在第五位的KLA 2019年的销售额为46.6亿美元,相比去年增长了10%,相比第一梯队,KLA的销售额为前四强的一半左右。不过在当今半导体检测设备市场格局中,KLA是全球绝对王者。据SEMI统计,2018年KLA在前道的检测和测量市场中占比过半、稳居行业第一,堪称半导体检测设备领域王者。KLA长期以来一直主导着检查半导体光掩模和掩模版的设备市场。国际市场上的客户占公司收入的75%以上。2019年2月,KLA以约32亿美元的价格收购了以色列公司Orbotech。通过此次收购,KLA分散了收入基础,并在PCB,FPD,封装和半导体制造领域增加了25亿美元的潜在市场机会。

  日本的爱德万测试排在第六位,2019年其销售额为24.7亿美元,下滑了4%。从1972年爱德万正式跨足半导体测试领域,经过40多年的发展,公司已经成为全球后道检测设备的领先企业。在存储器测试台细分市场领域,爱德万以40%的市占率长期位居全球首位。爱德万测试的主要产品包括自动化测试设备、SoC测试系统、内存测试系统、机电一体化测试系统等。爱德万测试研发出了日本多个“第一款”测试设备,开创了日本测试界的先河。

  在全球半导体清洗设备中具有较高占比的SCREEN依旧保持与2018年同样的排名,排名第七。SCREEN的销售额与爱德万测试接近,为22亿美元,比去年下降了1.2%。日本的SCREEN是世界上唯一生产线图像制版器材、电子原件制造设备的综合制造厂商,创立于1943年。早在2008年SCREEN就占据涂布机/显影机,湿法蚀刻机和抗蚀剂剥离剂的LCD制造设备市场的全球最大的份额。2009年SCREEN在单晶圆清洗系统中获得了全球60%以上的份额。

  排名第八的Teradyne(泰瑞达)公司是唯一能够覆盖模拟、混合信号、存储器及VLSI器件测试的设备提供商。泰瑞达2019年的销售额比去年增长了4.1%,达到15.5亿美元。2019年公司的测试台市占率全球居首,又是SoC测试台的绝对龙头。Teradyne将制造业中最关键的两个要素自动化:重复的手动任务和电子测试。在可靠性和性能至关重要的市场中,Teradyne的自动测试设备(ATE)可以加快新电子产品的上市时间。

  在SEM测长等方面的设备中占有优势的日立高科的排名提升到TOP9。日立高科与泰瑞达的销售额也非常接近,为15.3亿美元,同比上升9.3%。日立高科所提供的半导体制造设备主要有干蚀刻系统、CD-SEM和缺陷检查。日立高科技42%的销售额来自日本。日立拥有该公司近52%的股份。

  ASM international(ASMi)也由2018年第13名提升到第10名,其2019年销售额为12.6亿美元,是前十五家增长较多的一家企业,比去年增长了27.2%。ASMi是晶圆加工半导体加工设备的领先供应商。它是一家全球性公司,位于14个国家/地区。ASMi率先在工业上使用了许多成熟的晶圆加工技术,包括光刻,沉积,离子注入和单晶圆外延。近年来,ASMi将原子层沉积(ALD)和等离子增强原子层沉积(PEALD)从研发一直带到了先进制造商站点的主流生产。

  最亮眼的要数尼康,2018年从事曝光设备的尼康还在TOP15之外,而在2019年一跃成为TOP11,在TOP15中尼康的进步最大!2019年尼康的销售额达到12亿美元,相比2018年实现了翻倍增长,高达117.8%。尼康成立于1917年,最早通过相机和光学技术发家,1986年推出第一款FPD曝光设备,如今业务线、日本Kokus

  Electric(国际电气)此外,擅长于热处理等设备的国际电气(Kokusai electric)销售业绩下滑了23.5%,排名也从2018年的第九位跌落至12名。2019年7月,据彭博社报道,美国应用材料同意以约2500亿日元(合22亿美元)的价格从KKR&Co手中收购Kokusai Electric。Kokusai Electric将作为Applied公司半导体产品部门的业务部门运作,并将继续将总部设在东京。Kokusai专注于批处理或并行处理许多晶圆,特别是对于存储晶圆。据介绍,其主要客户包括三星电子公司,台湾半导体制造公司和

  公司。KOKUSAI ELECTRIC原本就是日立国际电气,并与日立High Technology共同在日立集团下开展半导体设备的竞争。但是,随着日立制作所的业务集中、筛选,在2017年作为非核心业务被出售给了美国的私募基金(Private Equity Fund)――Kohlberg Kravis Roberts(KKR),正式脱离日立集团。此外,KKR把原本在日立国际电气集团中承担半导体生产设备和成膜工艺技术的资产进行汇总,于2018年6月成立了新的组织――KOKUSAI ELECTRIC。据英国Financial Times(中文名《金融时报》)2019年2月3日的报道称,KKR正在讨论要把KOKUSAI ELECTRIC的一部分半导体设备业务(或者全部业务)出售给中国的大型企业和中国政府联合的基金组织,以获得利益。但是,由于美国及日本政府的反对,据业界相关人员透露,这次出售应该不会成功。

  uku(大幅)从事于半导体搬运系统的Daifuku(大福)相比2018年增长了13.9%,提升了一个名次,排名第13。大福与国际电气的销售额也比较接近,都在11亿美元左右。大福的洁净室存储、搬运系统被广泛应用于半导体、液晶等平板显示器制造行业,在许多世界著名企业均有销售。大福此前发布了2019年三个季度的财务数据,其订单、销售和营业收入主要是由于其在半导体和平板显示器部门的投资减少。

  ASM是ASM International NV集团的一部分,该集团还包括ASM Pacific Technology(ASMPT)。ASMPT在15家公司中跌幅最大,2019年销售业绩下滑了24.3%,销售额为8.9亿美元。由去年的第11位降落到第14位。ASMPT成立于1975年,总部位于新加坡,自1989年以来在香港联合交易所上市,也正因此,VLSI将其看做是中国的设备厂商。ASMPT是用于晶片组装和封装以及表面安装技术的半导体工艺设备的领先供应商,也是世界上唯一一家为电子制造过程中所有主要步骤提供高质量设备的公司,这些设备从用于芯片互连的载体到芯片组装和封装再到

  on(佳能)在FPD曝光设备领域,尼康和佳能两家日本厂商占据主要地位,两家也在不断抢食FPD设备市场。据了解,佳能在生产电视机显示屏方向的大型面板的曝光设备方面实力雄厚,而尼康的曝光设备则在用于智能手机显示屏的中小型面板方面更具有优势。佳能在2019年半导体设备厂商销售额排名跟去年一样,都排在第15,不过其销售额远低于尼康,仅为6.9亿美元,比去年下滑9.5%。

  近年我国半导体设备虽已取得长足进步,在各个领域已经实现 0 的突破,但是整体 研发投入相对海外依然较低,此外先进工艺节点的不断推进,使得国内的技术追赶之路困难重重。企业虽然持续加大研发力度,但随着摩尔定律演进,越先进的工艺 制程研发成本就越高,能投入资金跟上脚步的半导体设备厂商已经越来越少,无形 中增加了技术追赶的难度。

  解决方案:技术难点的攻克可以通过国家重大专项的推进完成,企业和政府共同承 担高端设备的技术攻克,减轻企业端的研发投入压力,同时继续鼓励国内新建晶圆 厂推动设备的国产化替代,给国内半导体设备厂商试错与提升的机会。针对不同的半导体设备制定国产化替代节点时间,对企业研发投入进行补贴,并积极利用国内 各种融资途径扩大规模。

  人才已经成为中国半导体设备产业成长的瓶颈点,半导体人才的培养是一个漫长的 过程,尤其是在先进工艺、先进技术方面,更是花钱可能也达不到效果的。行业人 才薪资相比海外偏低,保证新进人才是延续强劲成长、打破半导体设产业成长瓶颈的关键。2018 年全国本硕博毕业生数量超过800 万人,但

  专业领域的高校毕业生中只有 3 万人进入本行业就业。积极通过人才引进,股权激励,政府补助等方式进行高端人才的引进,政府牵头推进半导体行业的人才培养,通过产学研结合的方式,同时对半导体行业人才的住房 等问题上进行政策倾斜。3,科学布局,政府引导合理规划集成电路产业发展的初期必须由政府来主导,当前集成电路的产业投资主体分散, 管理主体也非常分散,这对产业发展非常不利。到了目前阶段,制定规划,确立战 略,科学布局,制定政策可能非常重要。政府要管理,但不能管理过度。管理一过度就管死,条条框框增多,政策多门,可能导致效率低下。

  半导体材料产业分布广泛,门类众多,主要包括晶圆制造用硅和硅基材、光刻胶、高纯化学试剂、电子气体、靶材、抛光液等。以半导体产业链上下游来分类,半导体材料可以分为晶圆制造材料和封装材料。2016 年全球晶圆制造材料和封装材料市场规模分别为 247 亿美元和 196 亿美元。我国是全球最大的半导体消费国,也是全球最大的半导体材料需求国。2016 年全球半导体材料市 场规模为 443 亿美金,其中中国大陆市场销售额为 65 亿美金,占全球总额的 15%,超过日本、美国等半导体强国,仅次于台湾、韩国,位列全球第三。

  同半导体设备等配套设施一样,我国半导体材料也面临着自给率不足、规模小、高端占比低等问题。与国外企业相比,我国半导体材料企业实力较弱,但随着 国家政策的支持、国内企业研发和产业投入增加等,各种材料领域均已取得突 破,在逐步实现部分国产替代。下面我们集中就几种核心的半导体原材料的现状、面临的问题以及应对措施进行分析。

  硅单晶圆片是最常用的半导体材料,是芯片生产过程中必不可少的、成本占比最高的材料。制造一个芯片,需要先将普通的硅原料制造成硅单晶圆片,然后 再通过一系列工艺步骤将硅单晶圆片制造成芯片。从市场规模上来看,2016 年 全球半导体硅片市场规模为 85 亿美元,占半导体制造材料总规模比重达 33%;2016 年国内半导体硅片市场规模为 119 亿元人民币,占国内半导体制造材料 总规模比重达 36%。无论是全球还是国内市场,硅片都是半导体制造上游材料中占比最大的一块。

  全球最大的 5 家厂商(主要是德国及日本厂商)几乎囊括了全球 95%的 300mm 硅晶圆片、86%的 200mm 硅晶圆片和 56%的150 mm 及以下尺寸 硅晶圆片。这一领域主要由日本厂商垄断,我国 6 英寸硅片国产化率为 50%, 8 英寸硅片国产化率为10%,12 英寸硅片尚未量产,完全依赖于进口。2017 年全球的集成电路硅片企业中,日本信越化学份额 28%,日本 SUMCO 份额 25%,台湾环球晶圆份额 17%,德国 Siltronic 份额15%,韩国 LG 9%。这五 家合计占了全球的 94%的份额。

  半导体光刻胶的市场较大,国产替代需求强烈。2015 年中国光刻胶市场的总 需求为 4390 吨,为 2007 年的 5.7 倍,目前半导体光刻胶的供应厂商要集中 在美国、日本、欧洲以及韩国等地。中国的光刻胶供应厂商多集中于 PCB 光 刻胶、LCD 光刻胶等低端领域。当前国内能够生产半导体光刻胶的厂商有北京科华微电子和苏州瑞红等。

  高纯溅射靶材主要是指纯度为 99.9%-99.9999%(3N-6N 之间)的金属或非金 属靶材,应用于

  制造的物理气象沉积(PVD)工艺,是制备晶圆、面 板、太阳能电池等表面电子薄膜的关键材料。溅射是制备薄膜材料的主要技术 之一,它利用离子源产生的离子,在真空中经过加速聚集而形成高速的离子束流,轰击固体表面,离子和固体表面原子发生动能交换,使固体表面的原子离 开固体并沉积在基底表面,被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料,称为 溅射靶材。在晶圆制作环节,半导体用溅射靶材主要用于晶圆导电层及阻挡层和金属栅极的制作,主要用到铝、钛、铜、钽等金属,芯片封装用金属靶材于晶圆制作类 似,主要有铜、铝、钛等。

  湿电子化学品(Wet Chemicals)指为微电子、光电子湿法工艺(主要包括湿法刻蚀、湿法清洗)制程中使用的各种电子化工材料。湿电子化学品按用途可分为通用 化学品(又称超净高纯试剂)和功能性化学品(以光刻胶配套试剂为代表)。其中超净高纯试剂一般要求化学试剂中控制颗粒的粒径在 0.5µm 以下,杂质含量低 于 ppm 级,是化学试剂中对颗粒控制、杂质含量要求最高的试剂。功能湿电 子化学品是指通过复配手段达到特殊功能、满足制造中特殊工艺需求的配方类或复配类化学品。功能性湿电子一般配合光刻胶用,包括显影液、漂洗液、剥 离液等。2016 年全球湿电子化学品市场规模约为 11.1 亿美元。湿电子化学 品作为新能源、现代通信、新一代电子信息技术、新型显示技术的关键化学材 料,其全球市场规模自 21 世纪初开始快速增长。根据 SEMI 数据显示, 2016 年全球湿电子化学品市场规模约为 11.1 亿美元。

  随着我国半导体产业制造能力的提升,配套原材料的国产化继续提上日程。集成电路对原材料纯度等要求非常高,因为集成电路产品的价值非常高,导致原 材料供应商的选择非常严谨。我们建议对半导体原材料产业加大资源、人力等 投入的同时,可以在政策方面对下游制造企业使用国产化原材料进行补贴,推动下游企业与上游原材料企业共同进步,进口实现产业链的全国产化。同时在 新材料研发方面,国家在政策上给相关企业、人才等给予引导和支持。

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  低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...

  TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

  TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...

  TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

  TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...

  LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...

  TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

  TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V< V IT - ≤3.1V= 100mV(典...

  INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

  INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish

  一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...

  LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线针TSSOP封装 XOR-tree测试模式

  Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...

  LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度

  针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入

  用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...

  AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

  AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...

  OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

  OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV

  PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...

  TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

  TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...

  DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...

  TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

  TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...

  这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...

  LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

  LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...

  TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

  TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) < 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2

  LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...

  LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...

  LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV

  共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号

  严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...

  LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...

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